[发明专利]制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备有效
| 申请号： | 201880002179.0 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111492485B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;张新霞;李恒滨;王国磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 刘悦晗;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造具有多个微发光二极管的微发光二极管(micro LED)阵列基板的方法。所述方法包括：在基底基板(10)上形成多条信号线；在基底基板(10)上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及，对半导体材料层构图以形成多个微发光二极管的半导体层(500)。在沉积半导体材料期间，多条信号线的远离基底基板(10)的表面未被覆盖。多条信号线形成用于促进半导体材料的外延生长的网格。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发光二极管 阵列 方法 显示 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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