[发明专利]制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备

说明书

一种制造具有多个微发光二极管的微发光二极管(micro LED)阵列基板的方法。所述方法包括：在基底基板(10)上形成多条信号线；在基底基板(10)上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及，对半导体材料层构图以形成多个微发光二极管的半导体层(500)。在沉积半导体材料期间，多条信号线的远离基底基板(10)的表面未被覆盖。多条信号线形成用于促进半导体材料的外延生长的网格。

技术领域

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备。

背景技术

近年来，提出和开发了小型化的光电器件，包括微发光二极管(微LED)。基于微LED的显示面板具有高亮度、高对比度、快速响应以及低功耗的优点。基于微LED的显示技术在显示领域中获得了广泛的应用，包括智能电话和智能手表。

发明内容

一方面，本发明提供了一种制造具有多个微发光二极管(微LED)的微LED阵列基板的方法，包括：在基底基板上形成多条信号线；在基底基板上沉积半导体材料以形成半导体材料层；以及，对半导体材料层构图以形成多个微LED的半导体层；其中，在沉积半导体材料期间，所述多条信号线的远离基底基板的表面未被覆盖，所述多条信号线形成用于促进半导体材料的外延生长的网格。

可选地，在形成所述多条信号线之前，所述方法还包括：在基底基板上形成生长层，半导体材料的外延生长形成在生长层上。

可选地，所述方法还包括：在基底基板上形成用于分别驱动所述多个微LED发光的多个薄膜晶体管；其中，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管形成为包括有源层；并且，利用单个掩模板在单次构图工艺中使用相同材料将生长层和有源层形成在同一层。

可选地，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管形成为包括源极和漏极；并且，利用单个掩模板在单次构图工艺中使用相同材料将源极、漏极和所述多条信号线形成在同一层。

可选地，在形成有源层和生长层之后并且在形成所述多条信号线、源极和漏极之前，所述方法还包括：在有源层和生长层的远离基底基板的一侧形成绝缘层；以及，形成分别贯穿绝缘层的第一过孔、第二过孔和第三过孔；其中，源极形成为通过第一过孔与有源层连接；并且，漏极形成为通过第二过孔与有源层连接且通过第三过孔与生长层连接。

可选地，使用包括硅的材料形成生长层和有源层。

可选地，在对半导体材料层构图以形成所述多个微LED的半导体层之后，所述方法还包括：形成限定多个子像素孔的像素限定层；以及，在半导体层的远离基底基板的一侧形成接触焊盘层。

可选地，所述多条信号线是所述微LED阵列基板的多条数据线。

可选地，所述多个微LED的半导体层选自由以下各项构成的组：所述多个微LED的n层、p层、以及多量子阱层。

另一方面，本发明提供了一种具有多个微发光二极管(微LED)的微LED阵列基板，包括：基底基板；生长层，其位于基底基板上；所述多个微LED的多个半导体层，其位于生长层的远离基底基板的一侧；以及，多个薄膜晶体管，其位于基底基板上；其中，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括有源层；并且，生长层和有源层位于同一层并且包括相同半导体材料。

可选地，微LED阵列基板还包括：绝缘层，其位于生长层和有源层的远离基底基板的一侧；以及，多条信号线，其位于绝缘层的远离基底基板的一侧。

可选地，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括源极和漏极；并且，源极、漏极和所述多条信号线位于同一层并且包括相同材料。

可选地，微LED阵列基板还包括分别贯穿绝缘层的第一过孔、第二过孔和第三过孔；其中，源极通过第一过孔与有源层连接；并且，漏极通过第二过孔与有源层连接且通过第三过孔与生长层连接。