[发明专利]摄像装置和信号处理装置在审
| 申请号: | 201880002008.8 | 申请日: | 2018-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN109155325A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 小木纯;田代睦聡;豊岛隆寛;坂野頼人;大池祐辅;朱弘博;中泽圭一;武谷佑花里;奥山敦;三好康史;松本良辅;堀内淳 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/107;H04N5/225;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率,以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明,提出一种摄像装置,其包括:第一半导体层,其形成在半导体基板上;第二半导体层,其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型;像素分隔部,其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域;第一电极,其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层;和第二电极,其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层,并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体层 像素 半导体基板 导电类型 摄像装置 侧连接 信号处理装置 高量子效率 第二电极 第一电极 分隔单元 光照射面 像素差异 像素区域 分隔部 灵敏度 短波 减小 噪声 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,其包括:第一半导体层,所述第一半导体层形成在半导体基板中;第二半导体层,所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型;像素分隔单元,所述像素分隔单元限定包括所述第一半导体层和所述第二半导体层的像素区域;第一电极,所述第一电极从所述半导体基板的一个表面侧连接至所述第一半导体层;和第二电极,所述第二电极从作为所述半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至所述第二半导体层,并且形成为与所述像素分隔单元的位置相对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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