[发明专利]摄像装置和信号处理装置在审

专利信息
申请号: 201880002008.8 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN109155325A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 小木纯;田代睦聡;豊岛隆寛;坂野頼人;大池祐辅;朱弘博;中泽圭一;武谷佑花里;奥山敦;三好康史;松本良辅;堀内淳 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/107;H04N5/225;H04N5/369
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 姚鹏;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率,以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明,提出一种摄像装置,其包括:第一半导体层,其形成在半导体基板上;第二半导体层,其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型;像素分隔部,其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域;第一电极,其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层;和第二电极,其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层,并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。
搜索关键词: 半导体层 像素 半导体基板 导电类型 摄像装置 侧连接 信号处理装置 高量子效率 第二电极 第一电极 分隔单元 光照射面 像素差异 像素区域 分隔部 灵敏度 短波 减小 噪声
【主权项】:
1.一种摄像装置,其包括:第一半导体层,所述第一半导体层形成在半导体基板中;第二半导体层,所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型;像素分隔单元,所述像素分隔单元限定包括所述第一半导体层和所述第二半导体层的像素区域;第一电极,所述第一电极从所述半导体基板的一个表面侧连接至所述第一半导体层;和第二电极,所述第二电极从作为所述半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至所述第二半导体层,并且形成为与所述像素分隔单元的位置相对应。
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