[发明专利]摄像装置和信号处理装置

权利要求书

1.一种摄像装置，其包括：

第一半导体层，所述第一半导体层形成在半导体基板中；

第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型；

像素分隔单元，所述像素分隔单元限定包括所述第一半导体层和所述第二半导体层的像素区域；

第一电极，所述第一电极从所述半导体基板的一个表面侧连接至所述第一半导体层；和

第二电极，所述第二电极从作为所述半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至所述第二半导体层，并且形成为与所述像素分隔单元的位置相对应。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，用于电子倍增的电压施加在所述第一电极与所述第二电极之间。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括：

第三半导体层，所述第三半导体层形成在所述第二半导体层上并且具有与所述第二半导体层相同的导电类型。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第二电极设置在所述像素分隔单元的上表面。

5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述像素分隔单元和所述第二电极具有围绕多个所述像素区域的格子状平面形状。

6.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括：

形成在所述第二电极上且具有遮光性质的金属层。

7.根据权利要求6所述的摄像装置，还包括：

形成在所述第二电极上的绝缘层，其中，所述金属层隔着所述绝缘层形成在所述第二电极上。

8.根据权利要求6所述的摄像装置，还包括：

电极引出单元，在包括有多个所述像素区域的像素阵列的外部，所述电极引出单元设置于光照射面侧，

其中，所述金属层连接至所述电极引出单元。

9.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括：

辅助电极，所述辅助电极形成在所述像素区域的表面且连接至所述第二电极。

10.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第二电极形成在所述像素分隔单元的上端的所述像素区域侧。

11.根据权利要求10所述的摄像装置，其中，所述第二电极形成为围绕所述像素区域。

12.根据权利要求10所述的摄像装置，还包括：

金属层，所述金属层形成在所述第二电极上且骑跨所述像素分隔单元的所述上端，

其中，所述金属层连接至形成在相邻像素区域中的所述第二电极。

13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述像素分隔单元包括杂质区域。

14.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括：

在所述半导体基板的厚度方向上至少部分地埋入所述像素分隔单元中的金属层和绝缘层。

15.根据权利要求14所述的摄像装置，其中，所述金属层和所述绝缘层从所述半导体基板的所述一个表面侧埋入所述像素分隔单元中。

16.根据权利要求14所述的摄像装置，其中，所述金属层和所述绝缘层从所述半导体基板的所述光照射面侧埋入所述像素分隔单元中。

17.根据权利要求14所述的摄像装置，其中，所述第二电极和所述金属层被所述绝缘层绝缘。