[发明专利]使用梳状路由结构以减少金属线装载的存储器件

摘要

公开了三维存储器件架构及其制作方法的实施例。在示例中，所述存储器件包括衬底以及处于所述衬底上的一个或多个外围器件。所述存储器件还包括一个或多个互连层以及设置在所述一个或多个互连层之上的半导体层。在所述半导体层上设置具有交替的导体和绝缘体层的堆叠层。多个结构竖直延伸通过所述堆叠层。第一组导电线与所述多个结构中的第一组电耦合，并且第二组导电线与所述多个结构中的不同于所述第一组的第二组电耦合。所述第一组导电线和所述第二组导电线与所述多个结构的相对两端竖直隔开一定距离。

主权项

1.一种存储器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的一个或多个外围器件；一个或多个互连层，其设置在所述一个或多个外围器件上方并且与所述一个或多个外围器件电耦合；设置在所述一个或多个互连层之上的半导体层；设置在所述半导体层上方的具有交替的导体和绝缘体层的堆叠层；竖直延伸通过所述堆叠层的多个结构；与所述多个结构中的第一组并且与所述一个或多个互连层电耦合的第一组导电线，所述第一组导电线与所述多个结构的一端竖直隔开一定距离；以及与所述多个结构中的不同于所述第一组的第二组电耦合的第二组导电线，所述第二组导电线与所述多个结构的相对端竖直隔开一定距离，其中，所述第一组导电线包括多个导电线，所述第二组导电线包括多个导电线。