[发明专利]具有双浮接阱的低电容静电放电(ESD)保护结构

摘要

本发明提供的静电放电(ESD)输入保护装置有一个NPNP结构，其中N+阴极形成在浮动P阱上方的FINFET鳍片或高掺杂区中，P+鳍片或高掺杂区阳极形成在浮动N阱上方，浮动N阱接触浮动P阱。浮动P阱被隔离N阱包围，浮动P阱下方有一个深N阱以将浮动P阱与p型衬底完全隔离。在浮接阱或隔离N阱中没有形成良好的抽头。因此，浮动P阱和浮动N阱始终是真正浮动的。由于阱是浮动的，NPNP结构表现为串联的三结二极管，其具有比单个二极管更低的电容，当其中一个阱短路或偏置时，NPNP结构将出现。在ESD事件期间，NPNP结构表现为单个二极管。

主权项

1.一种静电放电(ESD)结构，包括：衬底，其具有第一掺杂剂极性；深阱，其具有第二掺杂剂极性，其极性与所述第一掺杂剂极性相反，所述深阱形成在所述衬底中；第一浮接阱，其具有所述第一掺杂剂极性，形成在所述深阱中，所述第一浮接阱比所述深阱更浅，其中所述第一浮接阱通过所述深阱与所述衬底隔离；第二浮接阱，其具有所述第二掺杂剂极性，形成在所述深阱中，并与所述第一浮接阱相邻，其中在所述第二浮接阱接触所述第一浮接阱的地方形成阱间电二极管结；第一高掺杂区，其形成在所述第一浮接阱的上表面附近，所述第一高掺杂区有一个较高浓度的第二掺杂剂，所述较高浓度高于所述第二浮接阱中的第二掺杂剂浓度，所述第一高掺杂区与所述第一浮接阱形成第一电二极管结；第二高掺杂区，其形成在所述第二浮接阱的上表面附近，所述第二高掺杂区有一个较高浓度的第一掺杂剂，所述较高浓度高于所述第一浮接阱中的第一掺杂剂浓度，所述第二高掺杂区与所述第二浮接阱形成第二电二极管结；第一端，其连接到所述第一高掺杂区；第二端，其连接到所述第二高掺杂区；其中，在ESD测试期间，在所述第一端和所述第二端之间施加一个静电放电ESD电流；其中，在所述ESD测试期间，在所述第一端和所述第二端之间施加所述ESD电流时，所述ESD电流由所述第一电二极管结、所述阱间电二极管结和所述第二电二极管结传导；其中，除了通过所述第一高掺杂区到所述第一端的连接之外，所述第一浮接阱没有电连接到任何其他节点、电源或地。