[发明专利]用于晶圆键合对准补偿的方法和系统有效
| 申请号： | 201880000756.2 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN109451763B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种用于晶圆键合对准补偿的方法。该方法包括：键合包括位于第一对晶圆上的多个键合对准标记对的第一对晶圆；基于对至少两个键合对准标记对的测量来第一次分析第一对晶圆之间的平移不对准和旋转不对准；基于第一次分析来控制晶圆位置调整模块以补偿在键合第二对晶圆期间的平移不对准和旋转不对准；基于对多个键合对准标记对的测量来第二次分析第一对晶圆之间的平均跳动不对准；以及基于第二次分析来控制晶圆变形调整模块以补偿在键合第三对晶圆期间的跳动不对准。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 不对准 键合 对准标记 平移 调整模块 对准补偿 晶圆键合 分析 跳动 测量 晶圆位置 变形 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶圆键合对准补偿的方法，包括：键合第一对晶圆，所述第一对晶圆包括位于所述第一对晶圆上的多个键合对准标记对，其中，每个晶圆具有来自所述多个键合对准标记对中的每一个的对应的键合对准标记；基于对至少两个键合对准标记对的测量来第一次分析所述第一对晶圆之间的平移不对准和旋转不对准；基于所述第一次分析来控制晶圆位置调整模块以补偿在键合第二对晶圆期间的平移不对准和旋转不对准；基于对所述多个键合对准标记对的测量来第二次分析所述第一对晶圆之间的平均跳动不对准；以及基于所述第二次分析来控制晶圆变形调整模块以补偿在键合第三对晶圆期间的跳动不对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
