[实用新型]一种硅片钝化设备有效
申请号: | 201822252689.3 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209104181U | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 韩少鹏;胥阳;石伟;黄浩;侯玉;杨超;潘励刚;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于太阳能电池片加工技术领域,公开了一种硅片钝化设备。其包括机架、工艺腔、输送机构及温控装置,工艺腔内间隔设置有若干密闭隔门,若干密闭隔门将工艺腔划分为若干并列的腔室,每个腔室对应设置有至少一个输送机构及温控装置,腔室内设置有上下分布且能够相对移动的上电极及下电极,输送机构部分伸入腔室且位于上电极及下电极之间,并沿垂直于腔室的排列方向将硅片送入腔室。通过温控装置实时监测腔室的温度并根据各工序的需要进行温度调节,不会使硅片温度发生骤变,避免影响工艺效果;多个腔室独立完成钝化,钝化效率高;各个腔室彼此独立,单一腔室故障时不影响其他腔室的工作,减少整个设备故障停机时间,提高利用率。 | ||
搜索关键词: | 腔室 硅片 输送机构 温控装置 工艺腔 钝化设备 下电极 电极 密闭 加工技术领域 太阳能电池片 本实用新型 彼此独立 钝化效率 间隔设置 排列方向 上下分布 设备故障 实时监测 温度调节 相对移动 影响工艺 单一腔 骤变 钝化 隔门 伸入 停机 送入 并列 垂直 室内 | ||
【主权项】:
1.一种硅片钝化设备,包括机架(1),其特征在于,所述硅片钝化设备还包括设置于所述机架(1)上的工艺腔(2),所述工艺腔(2)内间隔设置有若干密闭隔门(22),若干所述密闭隔门(22)将所述工艺腔(2)划分为若干并列的腔室(21),每个所述腔室(21)对应设置有至少一个输送机构(3)及温控装置,所述腔室(21)内设置有上下分布且能够相对移动的上电极(4)及下电极(5),所述输送机构(3)部分伸入所述腔室(21)且位于所述上电极(4)及所述下电极(5)之间,并沿垂直于所述腔室(21)的排列方向将硅片(10)送入所述腔室(21)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822252689.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶体硅太阳能电池的退火装置
- 下一篇:非晶硅/晶体硅异质结太阳电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的