[实用新型]一种硅片钝化设备有效
| 申请号: | 201822252689.3 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN209104181U | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
| 发明(设计)人: | 韩少鹏;胥阳;石伟;黄浩;侯玉;杨超;潘励刚;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 腔室 硅片 输送机构 温控装置 工艺腔 钝化设备 下电极 电极 密闭 加工技术领域 太阳能电池片 本实用新型 彼此独立 钝化效率 间隔设置 排列方向 上下分布 设备故障 实时监测 温度调节 相对移动 影响工艺 单一腔 骤变 钝化 隔门 伸入 停机 送入 并列 垂直 室内 | ||
本实用新型属于太阳能电池片加工技术领域,公开了一种硅片钝化设备。其包括机架、工艺腔、输送机构及温控装置,工艺腔内间隔设置有若干密闭隔门,若干密闭隔门将工艺腔划分为若干并列的腔室,每个腔室对应设置有至少一个输送机构及温控装置,腔室内设置有上下分布且能够相对移动的上电极及下电极,输送机构部分伸入腔室且位于上电极及下电极之间,并沿垂直于腔室的排列方向将硅片送入腔室。通过温控装置实时监测腔室的温度并根据各工序的需要进行温度调节,不会使硅片温度发生骤变,避免影响工艺效果;多个腔室独立完成钝化,钝化效率高;各个腔室彼此独立,单一腔室故障时不影响其他腔室的工作,减少整个设备故障停机时间,提高利用率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片加工技术领域,尤其涉及一种硅片钝化设备。
背景技术
随着气候条件的不断恶化以及不可再生能源的不断开采,为了保证能源的持续利用,可再生能源受到青睐,尤其是太阳能不断被关注和利用。但是由于其效率偏低且成本偏高,导致其利用率并未达到最大化。为了进一步降低太阳能电池的生产成本并提高其转换效率,应用更薄的硅片成为太阳能行业的发展趋势。随着硅片厚度的减薄,硅片的表面复合就越来越重要,因此对硅片的钝化也变得越来越重要。
现有的硅片钝化设备为了提高硅片的钝化效率,采用链式传输方式,机台由多个腔体串联形式构成,每个腔体对硅片进行不同的钝化工序,各腔体间为连通结构,硅片放置在输送线,从前端上料位进入机台,依次经过每个腔室,在前一腔室工艺运行结束后传输至下一腔室继续工艺,依次类推,直至硅片从下料位最后一个腔体传出后,此叠硅片完成整个工艺过程。
该硅片钝化设备具有以下缺陷:
1.工艺过程中任一腔体硬件出现异常时,都会导致此腔体之后投入的硅片全部需要返工,重新运行工艺,且维修过程中整个设备需要停机,严重影响产出。
2.传输过程中,电极与硅片断开连接,相邻工位之间的隔离门打开,硅片温度会快速下降,到下一腔体时重新加载电极电流,导致叠内硅片间的温度差异加大,影响工艺效果。
因此,亟需一种硅片钝化设备,以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种硅片钝化设备,减少整个设备故障停机时间,提高利用率。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种硅片钝化设备,包括机架,所述硅片钝化设备还包括设置于所述机架上的工艺腔,所述工艺腔内间隔设置有若干密闭隔门,若干所述密闭隔门将所述工艺腔划分为若干并列的腔室,每个所述腔室对应设置有至少一个输送机构及温控装置,所述腔室内设置有上下分布且能够相对移动的上电极及下电极,所述输送机构部分伸入所述腔室且位于所述上电极及所述下电极之间,并沿垂直于所述腔室的排列方向将硅片送入所述腔室。
作为优选,所述腔室的靠近硅片进入的一侧设置可升降的活动隔门。
作为优选,所述输送机构包括设置于所述机架上且沿输送方向间隔设置的若干个输送组件,所述活动隔门对应于相邻两个所述输送组件之间的间隔设置。
作为优选,所述输送组件包括两条平行设置的输送线,所述硅片的两端部分别置于两条所述输送线上。
作为优选,所述输送线包括电机、传动带及若干传动轮,所述电机设置于所述机架,所述传动轮转动连接于所述机架,所述传动带依次连接于所述电机的输出端及若干所述传动轮。
作为优选,所述腔室内对应所述输送机构的端部设置有限位机构。
作为优选,所述温控装置包括温度检测组件及温度调节组件,所述温度检测组件及所述温度调节组件分别与所述硅片钝化设备的控制器电连接。
作为优选,所述温度调节组件包括加热装置及冷却装置,所述加热装置和所述冷却装置分别与所述控制器电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





