[实用新型]一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路有效
| 申请号： | 201822242913.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209515672U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨;李薇 | 申请（专利权）人： | 深圳市富盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人： | 冯铁惠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路，基于无线充电的肖特基二极管包括：SiO2衬底001、第一Ge层002、第一N型Ge层010、第二N型Ge层006、铝Al金属层007和钨W金属层009，其中，所述第一Ge层002设置在所述SiO2衬底001的表面；所述第一N型Ge层010设置在所述第一Ge层002的表面；所述第二N型Ge层006内嵌在所述第一N型Ge层010中；所述Al金属层007设置在所述第二N型Ge层006的表面上；所述W金属层009设置在所述第一N型Ge层010的表面的预设的肖特基接触指定区域内。应用本实用新型实施例提供的肖特基二极管的抗闩锁效应好，可靠性更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 无线充电 本实用新型 整流电路 金属层 衬底 肖特基接触 闩锁效应 内嵌 预设 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于无线充电的肖特基二极管，其特征在于，包括：SiO2衬底(001)、第一Ge层(002)、第一N型Ge层(010)、第二N型Ge层(006)、铝Al金属层(007)和钨W金属层(009)，其中，所述第一Ge层(002)设置在所述SiO2衬底(001)的表面；所述第一N型Ge层(010)设置在所述第一Ge层(002)的表面；所述第二N型Ge层(006)内嵌在所述第一N型Ge层(010)中；所述Al金属层(007)设置在所述第二N型Ge层(006)的表面上；所述W金属层(009)设置在所述第一N型Ge层(010)的表面的预设的肖特基接触指定区域内。
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