[实用新型]一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路

说明书

本实用新型涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路，基于无线充电的肖特基二极管包括：SiO₂衬底001、第一Ge层002、第一N型Ge层010、第二N型Ge层006、铝Al金属层007和钨W金属层009，其中，所述第一Ge层002设置在所述SiO₂衬底001的表面；所述第一N型Ge层010设置在所述第一Ge层002的表面；所述第二N型Ge层006内嵌在所述第一N型Ge层010中；所述Al金属层007设置在所述第二N型Ge层006的表面上；所述W金属层009设置在所述第一N型Ge层010的表面的预设的肖特基接触指定区域内。应用本实用新型实施例提供的肖特基二极管的抗闩锁效应好，可靠性更佳。

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路。

背景技术

无线充电技术可以突破传统传输线的限制，使得输送电能无需依靠输电线，可以应用在多个领域，比如，给手机电池进行无线充电。具体的，电源可以通过无线充电系统的发射器将直流电转化为电磁波发射出去，由设置在手机内的无线充电系统的接收端将接收到的电磁波转化为直流电，实现对手机的无线充电。其中，整流天线是无线充电系统的接收端的关键部件，而整流二极管是整流电路的核心器件。

目前，可以使用Ge材料制备的肖特基二极管作为整流二极管。但是，Ge材料制备的肖特基二极管易出现由于闩锁效应而失效的问题。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路。本实用新型要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本实用新型实施例提供了一种基于无线充电的肖特基二极管，包括：

SiO₂衬底(001)、第一Ge层(002)、第一N型Ge层(010)、第二N型Ge层(006)、铝Al金属层(007)和钨W金属层(009)，其中，

所述第一Ge层(002)设置在所述SiO₂衬底(001)的表面；

所述第一N型Ge层(010)设置在所述第一Ge层(002)的表面；

所述第二N型Ge层(006)内嵌在所述第一N型Ge层(010) 中；

所述Al金属层(007)设置在所述第二N型Ge层(006)的表面上；

所述W金属层(009)设置在所述第一N型Ge层(010)的表面的预设的肖特基接触指定区域内。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一Ge层(002)的厚度为200nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述Al金属层(007)和所述W 金属层(009)的厚度均为10～20nm。

本实用新型的另一个实施例提供的整流电路，包括上述实施例任一项所述的肖特基二极管。

与现有技术相比，本实用新型实施例提供了一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路，肖特基二极管包括：SiO₂衬底(001)、第一Ge层(002)、第一N型Ge层(010)、第二N型Ge层(006)、铝Al金属层(007)和钨W金属层(009)，其中，所述第一Ge层(002) 设置在所述SiO₂衬底(001)的表面；所述第一N型Ge层(010)设置在所述第一Ge层(002)的表面；所述第二N型Ge层(006)内嵌在所述第一N型Ge层(010)中；所述Al金属层(007)设置在所述第二N型Ge层(006)的表面上；所述W金属层(009)设置在所述第一N型Ge层(010)的表面的预设的肖特基接触指定区域内。