[实用新型]半导体组件有效
| 申请号： | 201822238845.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209249463U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李立民;徐献松 | 申请（专利权）人： | 无锡旭康微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市蠡园开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体组件。半导体组件被区分为一组件区以及一静电防护区。半导体组件包括磊晶层、栅极结构以及静电防护层。磊晶层包括位于组件区的一第一基体区以及位于静电防护区的一第二基体区。栅极结构设置于组件区内，并至少连接于所述第一基体区。静电防护层设置于磊晶层的一表面上并与磊晶层隔离。静电防护层位于第二基体区上方，且静电防护层完全重叠于第二基体区范围内。本实用新型具有静电防护层的半导体组件符合静电放电防护标准，又可具有较高的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体组件 静电防护层 基体区 磊晶层 本实用新型 静电防护区 栅极结构 组件区 静电放电防护 耐压 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，其被区分为一组件区以及一静电防护区，其特征在于，所述半导体组件包括：一磊晶层，其包括位于所述组件区的一第一基体区以及位于所述静电防护区的一第二基体区；一栅极结构，其设置于所述组件区内，并至少连接于所述第一基体区；以及一静电防护层，其设置于所述磊晶层的一表面上并与所述磊晶层隔离，其中，所述静电防护层位于所述第二基体区上方，且所述静电防护层完全重叠于所述第二基体区范围内。
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