[实用新型]半导体组件有效
| 申请号： | 201822238845.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209249463U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李立民;徐献松 | 申请（专利权）人： | 无锡旭康微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市蠡园开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体组件 静电防护层 基体区 磊晶层 本实用新型 静电防护区 栅极结构 组件区 静电放电防护 耐压 隔离 | ||
1.一种半导体组件，其被区分为一组件区以及一静电防护区，其特征在于，所述半导体组件包括：
一磊晶层，其包括位于所述组件区的一第一基体区以及位于所述静电防护区的一第二基体区；
一栅极结构，其设置于所述组件区内，并至少连接于所述第一基体区；以及
一静电防护层，其设置于所述磊晶层的一表面上并与所述磊晶层隔离，其中，所述静电防护层位于所述第二基体区上方，且所述静电防护层完全重叠于所述第二基体区范围内。
2.如请求项1所述的半导体组件，其特征在于，所述静电防护层包括一第一重掺杂区与一第二重掺杂区，且所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区的交界面为一PN接面。
3.如请求项1所述的半导体组件，其特征在于，所述的半导体组件还包括一绝缘层，所述绝缘层位于所述静电防护层与所述磊晶层之间，所述绝缘层连接于所述第二基体区，且所述静电防护层的宽度与所述绝缘层的宽度之间的差值小于0.5um。
4.如请求项1所述的半导体组件，其特征在于，所述栅极结构为沟道式栅极结构或是平面式栅极结构。
5.如请求项1所述的半导体组件，其特征在于，所述磊晶层还包括位于所述组件区内的一第一源极区，所述第一源极区连接于所述栅极结构的其中一侧，且所述第一基体区围绕所述第一源极区。
6.如请求项5所述的半导体组件，其特征在于，所述第二基体区具有一延伸部分，并连接所述栅极结构的另一侧，且一第二源极区位于所述延伸部分上面。
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