[实用新型]一种三相全桥拓扑电路有效

专利信息
申请号: 201822235223.2 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN209435129U 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 王巧建;徐俊龙;刘佰莹 申请(专利权)人: 思源清能电气电子有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219;H02M7/23
代理公司: 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 代理人: 王圣;刘朵朵
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种三相全桥拓扑电路,属电力设备技术领域。其特征在于:每一相与零线之间都并联有一对电容和电阻,每一相的交流出线经过第一电感、继电器和第二电感后均连接该相上桥臂电路中的MOSFET的漏极,该相上桥臂电路中的MOSFET的源极连接下桥臂电路中的MOSFET的漏极,下桥臂电路中的MOSFET的源极与直流出线相连;上桥臂电路和下桥臂电路上的MOSFET均采用碳化硅,每一个碳化硅由一路独立的驱动电路控制开通、关断信号,驱动电路的电流大小和功率根据碳化硅MOSFET的参数进行调整。本实用新型通过在三相全桥拓扑电路使用带驱动电路的碳化硅,具有高效率、高开关频率、高功率密度、低损耗的优点。
搜索关键词: 电路 驱动电路 三相全桥 拓扑电路 上桥臂 碳化硅 下桥臂 电感 本实用新型 漏极 继电器 出线 碳化硅MOSFET 高开关频率 电力设备 关断信号 源极连接 低损耗 高功率 高效率 电容 并联 电阻 零线 源极 开通 交流
【主权项】:
1.一种三相全桥拓扑电路,其特征在于:每一相与零线之间都并联有一对电容和电阻,每一相的交流出线经过第一电感、继电器和第二电感后均连接该相上桥臂电路中的MOSFET的漏极,该相上桥臂电路中的MOSFET的源极连接下桥臂电路中的MOSFET的漏极,下桥臂电路中的MOSFET的源极与直流出线相连;上桥臂电路和下桥臂电路上的MOSFET均采用碳化硅,每一个碳化硅由一路独立的驱动电路控制开通、关断信号,驱动电路的电流大小和功率根据碳化硅MOSFET的参数进行调整。
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