[实用新型]一种三相全桥拓扑电路有效
| 申请号： | 201822235223.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209435129U | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王巧建;徐俊龙;刘佰莹 | 申请（专利权）人： | 思源清能电气电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219;H02M7/23 |
| 代理公司： | 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 | 代理人： | 王圣;刘朵朵 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路 驱动电路 三相全桥 拓扑电路 上桥臂 碳化硅 下桥臂 电感 本实用新型 漏极 继电器 出线 碳化硅MOSFET 高开关频率 电力设备 关断信号 源极连接 低损耗 高功率 高效率 电容 并联 电阻 零线 源极 开通 交流 | ||
【权利要求书】：
1.一种三相全桥拓扑电路，其特征在于：每一相与零线之间都并联有一对电容和电阻，每一相的交流出线经过第一电感、继电器和第二电感后均连接该相上桥臂电路中的MOSFET的漏极，该相上桥臂电路中的MOSFET的源极连接下桥臂电路中的MOSFET的漏极，下桥臂电路中的MOSFET的源极与直流出线相连；上桥臂电路和下桥臂电路上的MOSFET均采用碳化硅，每一个碳化硅由一路独立的驱动电路控制开通、关断信号，驱动电路的电流大小和功率根据碳化硅MOSFET的参数进行调整。
2.如权利要求1所述的三相全桥拓扑电路，其特征在于：所述的驱动电路通过门极电阻与碳化硅MOSFET的栅极连接，并通过碳化硅MOSFET内部的NTC电阻对碳化硅MOSFET内部温度进行检测。
3.如权利要求1所述的三相全桥拓扑电路，其特征在于：所述的每一相的上桥臂电路的驱动电路和下桥臂电路的驱动电路集成在同一块PCB板上。
4.如权利要求1至3之一所述的三相全桥拓扑电路，其特征在于：所述的碳化硅MOSFET的额定电压为1200V，驱动电路的开关频率为100KHz，驱动电压的正电压为16V，负电压为-5V。
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