[实用新型]非晶硅/晶体硅异质结太阳电池

摘要

本实用新型提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，包括非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；透明导电氧化物薄膜覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区；金属电极；覆盖薄膜，覆盖薄膜至少覆盖被显露的边缘区。本实用新型通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的，且具有低成本、高稳定性的优势。

主权项

1.一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于，所述非晶硅/晶体硅异质结太阳电池包括：非晶硅/晶体硅异质结结构，所述非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面分别包括中心区及包围所述中心区的边缘区；透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜覆盖所述非晶硅/晶体硅异质结结构的所述中心区，且所述透明导电氧化物薄膜至少显露位于所述非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的所述边缘区；金属电极，位于所述透明导电氧化物薄膜上；覆盖薄膜，所述覆盖薄膜至少覆盖被显露的所述边缘区。