[实用新型]非晶硅/晶体硅异质结太阳电池有效
| 申请号： | 201822212411.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN209104182U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 石建华;孟凡英;刘正新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅 晶体硅 异质结太阳电池 边缘区 中心区 本实用新型 异质结结构 覆盖薄膜 上表面 下表面 透明导电氧化物薄膜 显露 光电转化效率 稳定性最大化 光学折射率 减反射效果 氮氧化硅 高稳定性 化学惰性 金属电极 氮化硅 低成本 可控的 氧化硅 最优化 覆盖 包围 | ||
1.一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于，所述非晶硅/晶体硅异质结太阳电池包括：
非晶硅/晶体硅异质结结构，所述非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面分别包括中心区及包围所述中心区的边缘区；
透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜覆盖所述非晶硅/晶体硅异质结结构的所述中心区，且所述透明导电氧化物薄膜至少显露位于所述非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的所述边缘区；
金属电极，位于所述透明导电氧化物薄膜上；
覆盖薄膜，所述覆盖薄膜至少覆盖被显露的所述边缘区。
2.根据权利要求1所述的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述覆盖薄膜包括氮化硅薄膜、氧化硅薄膜及氮氧化硅薄膜中的一种或组合。
3.根据权利要求1所述的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述覆盖薄膜的厚度的范围包括10nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述覆盖薄膜还覆盖所述透明导电氧化物薄膜的表面、所述金属电极的表面及所述非晶硅/晶体硅异质结结构的侧面。
5.根据权利要求1所述的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述非晶硅/晶体硅异质结结构中的所述非晶硅的厚度的范围包括5nm～25nm。
6.根据权利要求1所述的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述透明导电氧化物薄膜包括掺锡氧化铟薄膜、掺铝氧化铟薄膜、掺钨氧化铟薄膜、掺钛氧化铟薄膜、掺铯氧化铟薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺镓氧化锌薄膜及掺铝镓氧化锌薄膜中的一种或组合。
7.根据权利要求1所述的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述透明导电氧化物薄膜的厚度的范围包括30nm～200nm。
8.根据权利要求1所述的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，其特征在于：所述边缘区的宽度的范围包括0.5mm～1.5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822212411.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种硅片钝化设备
- 下一篇：一种高性能的绿光二极管多量子阱结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
