[实用新型]深沟槽功率器件和电子设备有效
| 申请号： | 201822210492.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN209461469U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 杨东林;陈文高;刘侠 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种深沟槽功率器件，其中，所述功率器件被划分为元胞区和终端区，所述功率器件包括：衬底，衬底下方设置有漏极金属，衬底上设置有外延层，在所述外延层上设置有体区，所述体区中设置元胞区沟槽和终端区沟槽，所述元胞区沟槽和终端区沟槽从体区的表面向下延伸到外延层内。所述沟槽内填充有与源极相连的第一导电多晶硅和与栅极相连的第二导电多晶硅。在第一导电多晶硅和第二导电多晶硅之间设置有第二绝缘介质体。 | ||
| 搜索关键词： | 导电多晶硅 功率器件 外延层 元胞区 终端区 体区 深沟槽 衬底 绝缘介质体 电子设备 漏极金属 向下延伸 栅极相连 源极 填充 | ||
【主权项】：
1.一种深沟槽功率器件，其中，所述功率器件被划分为元胞区(01)和终端区(02)，所述元胞区(01)位于所述功率器件的中心区，所述终端区(02)位于所述元胞区(01)的外圈且环绕包围所述元胞区(01)，所述功率器件包括：衬底(2)，衬底(2)下方设置有漏极金属(1)，衬底(2)上设置有外延层(3)，在所述外延层(3)上设置有体区(11)，所述体区(11)中设置元胞区沟槽(6)和终端区沟槽(16)，所述元胞区沟槽(6)和终端区沟槽(16)从体区的表面向下延伸到外延层(3)内，所述元胞区沟槽(6)内填充有与源极相连的第一导电多晶硅(5)和与栅极相连的第二导电多晶硅(10)，所述第一导电多晶硅(5)外围有第一绝缘介质体(4)，所述第二导电多晶硅(10)外围有栅氧化层(8)，在第一导电多晶硅(5)和第二导电多晶硅(10)之间设置有第二绝缘介质体(7)，所述终端区沟槽(16)内填充有电位悬浮的第三导电多晶硅(15)，在所述第三导电多晶硅(15)外围有第三绝缘介质体，所述第一绝缘介质体与所述第三绝缘介质体(14)的材料相同。
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