[实用新型]一种沟槽型绝缘栅双极晶体管器件结构有效
| 申请号： | 201822171038.1 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN209045565U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海襄荣专利代理事务所(特殊普通合伙) 31329 | 代理人： | 祝辽原 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽型绝缘栅双极晶体管器件结构,包括：沟槽区、多晶硅栅极、半导体衬底；多晶硅栅极设在沟槽区内，多晶硅栅极为沟槽结构，沟槽区设在半导体衬底中，沟槽区顶部形成多晶硅栅极凸出P型外延层表面的栅结构，沟槽区内多晶硅栅极与N+发射区无缝连接。通过多晶硅上表面凸出P型外延层表面1‑2um的栅结构，使得沟槽区内多晶硅栅极与N+发射区无缝连接，减少了发射极和多晶硅栅极之间的交叠面积，减少了栅源电容，降低了开关延迟时间，减少了器件的开关动态损耗，改善了开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅栅极 沟槽区 绝缘栅双极晶体管 凸出 器件结构 无缝连接 发射区 沟槽型 栅结构 衬底 半导体 多晶硅栅 沟槽结构 开关动态 开关特性 开关延迟 栅源电容 多晶硅 发射极 上表面 交叠 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型绝缘栅双极晶体管器件结构,包括：沟槽区、多晶硅栅极、半导体衬底；多晶硅栅极设在沟槽区内，多晶硅栅极为沟槽结构，沟槽区设在半导体衬底中，其特征在于：沟槽区顶部形成多晶硅栅极凸出P型外延层表面的栅结构，沟槽区内多晶硅栅极与N+发射区无缝连接。
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