[实用新型]HIT异质结太阳能电池制造设备有效
申请号: | 201822142955.7 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN209328932U | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 范继良 | 申请(专利权)人: | 黄剑鸣 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;H01L21/677;C23C16/54;C23C14/56 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;王志 |
地址: | 中国香港新界大埔*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本实用新型公开一种HIT异质结太阳能电池制造设备,其包括依次对接设置的装载室、第一、二PECVD沉积室、PVD沉积室及卸载室,还包括用于同步传输硅片于各工序之间的同步室,第一、二PECVD沉积室之间、以及第二PECVD沉积室与PVD沉积室之间均设置有隔离室,隔离室使得被连接的二者之间实现分隔式的密封连通,隔离室的抽气腔与抽气装置连通,隔离室内还设置有用于减少气流流动性的辊轴组件,辊轴组件包括呈相切主、从动辊轴;同步室及隔离室使得工序处理室连接呈一体式设计,使得用本实用新型生产HIT异质结太阳能电池结构时,相较现有的制造设备其生产效率及产品质量均得到大幅提高,具有较强的实用性,适于广泛推广使用。 | ||
搜索关键词: | 沉积室 隔离室 异质结太阳能电池 制造设备 本实用新型 辊轴组件 气流流动性 一体式设计 抽气装置 从动辊轴 对接设置 工序处理 密封连通 生产效率 同步传输 抽气腔 分隔式 卸载室 装载室 硅片 相切 连通 隔离 室内 生产 | ||
【主权项】:
1.一种HIT异质结太阳能电池制造设备,其特征在于,包括依次对接设置的用于提供硅片的装载室、用于化学气相沉积的第一PECVD沉积室、用于化学气相沉积的第二PECVD沉积室、用于磁控溅射镀膜的PVD沉积室及用于卸载硅片的卸载室,还包括用于同步传输硅片于各工序之间的同步室,所述装载室与所述第一PECVD沉积室之间设置一所述同步室,所述PVD沉积室与所述卸载室之间设置一所述同步室,所述同步室内设置有同步电机,两所述同步室内的所述同步电机借由一用于承载硅片的传输件连接,所述传输件依次贯穿所述装载室、所述第一PECVD沉积室、所述第二PECVD沉积室、所述PVD沉积室及所述卸载室,所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室之间、以及所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室之间均设置一隔离室,所述隔离室呈中空结构并形成抽气腔,所述抽气腔连通一抽气装置,所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室借由二者之间的所述隔离室呈密封的连通,所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室借由二者之间的所述隔离室呈密封的连通,所述隔离室的抽气腔内设置有辊轴组件,所述辊轴组件包括呈上下相切设置的从动辊轴和主动辊轴,所述主动辊轴连接一驱动其转动的辊轴驱动机构,所述主动辊轴和所述从动辊轴外均具有呈柔性结构的硅胶层,穿过所述第一PECVD沉积室的所述传输件与所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室之间的隔离室中的辊轴组件的主动辊轴与从动辊轴相切处正对对接,穿过所述第二PECVD沉积室的所述传输件与所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室之间的隔离室中的辊轴组件的主动辊轴与从动辊轴相切处正对对接,两所述同步电机的同步驱动将使从装载室内移送至传输件上的硅片,依次通过所述第一PECVD沉积室、所述第二PECVD沉积室及所述PVD沉积室而到达所述卸载室被卸下,所述传输件于所述隔离室处绕行设置,硅片由所述第一PECVD沉积室到所述第二PECVD之间的传输借由二者之间的隔离室内的主动辊轴与从动辊轴的滚动而传输,硅片由第二PECVD沉积室到所述PVD沉积室之间的传输借由二者之间的隔离室内的主动辊轴与从动辊轴的滚动而传输。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的