[实用新型]HIT异质结太阳能电池制造设备

权利要求书

1.一种HIT异质结太阳能电池制造设备，其特征在于，包括依次对接设置的用于提供硅片的装载室、用于化学气相沉积的第一PECVD沉积室、用于化学气相沉积的第二PECVD沉积室、用于磁控溅射镀膜的PVD沉积室及用于卸载硅片的卸载室，还包括用于同步传输硅片于各工序之间的同步室，所述装载室与所述第一PECVD沉积室之间设置一所述同步室，所述PVD沉积室与所述卸载室之间设置一所述同步室，所述同步室内设置有同步电机，两所述同步室内的所述同步电机借由一用于承载硅片的传输件连接，所述传输件依次贯穿所述装载室、所述第一PECVD沉积室、所述第二PECVD沉积室、所述PVD沉积室及所述卸载室，所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室之间、以及所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室之间均设置一隔离室，所述隔离室呈中空结构并形成抽气腔，所述抽气腔连通一抽气装置，所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室借由二者之间的所述隔离室呈密封的连通，所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室借由二者之间的所述隔离室呈密封的连通，所述隔离室的抽气腔内设置有辊轴组件，所述辊轴组件包括呈上下相切设置的从动辊轴和主动辊轴，所述主动辊轴连接一驱动其转动的辊轴驱动机构，所述主动辊轴和所述从动辊轴外均具有呈柔性结构的硅胶层，穿过所述第一PECVD沉积室的所述传输件与所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室之间的隔离室中的辊轴组件的主动辊轴与从动辊轴相切处正对对接，穿过所述第二PECVD沉积室的所述传输件与所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室之间的隔离室中的辊轴组件的主动辊轴与从动辊轴相切处正对对接，两所述同步电机的同步驱动将使从装载室内移送至传输件上的硅片，依次通过所述第一PECVD沉积室、所述第二PECVD沉积室及所述PVD沉积室而到达所述卸载室被卸下，所述传输件于所述隔离室处绕行设置，硅片由所述第一PECVD沉积室到所述第二PECVD之间的传输借由二者之间的隔离室内的主动辊轴与从动辊轴的滚动而传输，硅片由第二PECVD沉积室到所述PVD沉积室之间的传输借由二者之间的隔离室内的主动辊轴与从动辊轴的滚动而传输。

2.如权利要求1所述的HIT异质结太阳能电池制造设备，其特征在于，所述隔离室的两端分别延伸出与所述抽气腔连通的第一通道和第二通道，位于所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室之间的隔离室的第一通道与所述第一PECVD沉积室的右端密封对接连通，位于所述第一PECVD沉积室与所述第二PECVD沉积室之间的隔离室的第二通道与所述第二PECVD沉积室的左端密封对接连通，位于所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室之间的隔离室的第一通道与所述第二PECVD沉积室的右端密封对接连通，位于所述第二PECVD沉积室与所述PVD沉积室之间的隔离室的第二通道与所述PVD沉积室的密封对接连通。

3.如权利要求2所述的HIT异质结太阳能电池制造设备，其特征在于，所述传输件贯穿所述第一通道与所述第二通道，所述传输件绕设于所述抽气腔中的辊轴组件之外。

4.如权利要求1所述的HIT异质结太阳能电池制造设备，其特征在于，所述第一PECVD沉积室及所述第二PECVD沉积室结构相同，所述第一PECVD沉积室及所述第二PECVD沉积室均包括气盒机构及电极机构，所述气盒机构包括呈中空结构的气盒体，所述中空结构形成气腔，所述气盒体呈矩形结构，所述气腔中呈平行的等间距设置有第一隔板，所述第一隔板将所述气腔分隔形成各自相互独立的气腔单元，所述气腔单元所对应的气盒体的顶面贯穿开设有与所述气腔单元连通的进气口，每一所述气腔单元所对应的气盒体的底面上均呈平行的等间距设置有导电结构的第二隔板，相邻两所述第二隔板之间的气盒体的底面贯穿开设有与所述气腔单元连通的呈条状的出气口，相邻两所述第二隔板之间形成电离腔单元，所述传输件横跨于所述电离腔单元正下方，所述气腔单元与所述电离腔单元呈一一正对设置，依次连通的所述进气口、所述气腔单元、所述出气口及所述电离腔单元形成一沉积通道，所述电极机构包括承载体，所述承载体上呈平行且等间距的延伸出与所述电离腔单元对应的电极条，所述电极条对应悬置于所述电离腔单元中。