[实用新型]一种功率器件有效
| 申请号： | 201822080082.1 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN209029385U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘奇斌;陈倩 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;王卫彬 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种功率器件。该功率器件依次包括相互叠置的一第一氧化层、一氮化硅层、一第二氧化层、一硅片层和一第三氧化层；第一氧化层的厚度为3～5μm；氮化硅层的厚度为0.05～0.2μm；第二氧化层的厚度为0.5～2μm；硅片层的厚度为320～500μm；第三氧化层的厚度为3～5μm。本实用新型的功率器件动态性能优异，翘曲度低，后续光刻工艺可顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 功率器件 本实用新型 氮化硅层 硅片层 动态性能 光刻工艺 翘曲度 叠置 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，其特征在于，其依次包括相互叠置的一第一氧化层、一氮化硅层、一第二氧化层、一硅片层和一第三氧化层；所述第一氧化层的厚度为3～5μm；所述氮化硅层的厚度为0.05～0.2μm；所述第二氧化层的厚度为0.5～2μm；所述硅片层的厚度为320～500μm；所述第三氧化层的厚度为3～5μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822080082.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维存储器
- 下一篇：一种改进型平面MOS器件
- 同类专利
- 专利分类
