[实用新型]一种功率器件有效
| 申请号： | 201822080082.1 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN209029385U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘奇斌;陈倩 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;王卫彬 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化层 功率器件 本实用新型 氮化硅层 硅片层 动态性能 光刻工艺 翘曲度 叠置 | ||
1.一种功率器件，其特征在于，其依次包括相互叠置的一第一氧化层、一氮化硅层、一第二氧化层、一硅片层和一第三氧化层；
所述第一氧化层的厚度为3～5μm；
所述氮化硅层的厚度为0.05～0.2μm；
所述第二氧化层的厚度为0.5～2μm；
所述硅片层的厚度为320～500μm；
所述第三氧化层的厚度为3～5μm。
2.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一氧化层的原料为二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃和半绝缘多晶硅中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为3～4.2μm。
4.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为
5.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述硅片层的厚度为320～410μm。
6.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第二氧化层的原料为二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃和半绝缘多晶硅中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为1～1.2μm。
8.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第三氧化层的原料为二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃和半绝缘多晶硅中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第三氧化层的厚度为3～4.2μm。
10.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为3～4.2μm，所述氮化硅层的厚度为所述第二氧化层的厚度为1～1.2μm，所述硅片的厚度为320～410μm，所述第三氧化层的厚度为3～4.2μm。
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