[实用新型]一种用于垂直流动式反应室的ALD装置有效
申请号: | 201822071709.7 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN209162189U | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 左雪芹;陆雪强;潘晓霞 | 申请(专利权)人: | 江苏迈纳德微纳技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/52 |
代理公司: | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人: | 张天翔 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于垂直流动式反应室的ALD装置,包括反应室、前驱体源输送系统、真空系统、臭氧发生器、控制系统、反应室外壁、前驱体源入口、抽气匀气装置、样品进入口、匀气喷淋装置、真空系统接口和样品台,所述控制系统的内部设置有真空系统,控制系统的下方设置有臭氧发生器,本实用新型一种用于垂直流动式反应室的ALD装置,样品台同时具有加热功能,样品台尺寸不同规格,增加多样性,通过匀气喷淋装置匀气后吸附在样品表面,在垂直流动式反应室的底部增加抽气匀气装置,防止气流迅速的从中间抽走,可提高薄膜的均匀性,对于非理想的ALD过程并不敏感,且反应室比较横向流动式要大,可以生长一些尺度大的三维样品。 | ||
搜索关键词: | 反应室 垂直流动 控制系统 样品台 匀气 本实用新型 臭氧发生器 喷淋装置 前驱体源 匀气装置 真空系统 抽气 真空系统接口 反应室外壁 横向流动 加热功能 内部设置 输送系统 样品表面 非理想 进入口 均匀性 吸附 薄膜 三维 尺度 多样性 敏感 生长 | ||
【主权项】:
1.一种用于垂直流动式反应室的ALD装置,包括反应室(1)、前驱体源输送系统(2)、真空系统(3)、臭氧发生器(4)、控制系统(5)、反应室外壁(6)、前驱体源入口(7)、抽气匀气装置(8)、样品进入口(9)、匀气喷淋装置(10)、真空系统接口(11)、样品台(12)和压力监测系统接口(13),其特征在于:所述控制系统(5)的内部设置有真空系统(3),控制系统(5)的下方设置有臭氧发生器(4),控制系统(5)的上方安装有反应室(1)和前驱体源输送系统(2),前驱体源输送系统(2)上安装有反应室外壁(6),所述反应室(1)的内部设置有反应室外壁(6),反应室外壁(6)内部设置有样品台(12),反应室外壁(6)的上方连接有匀气喷淋装置(10),匀气喷淋装置(10)的上方连接有前驱体源入口(7),所述反应室外壁(6)的外侧安装有样品进入口(9),反应室外壁(6)的下方连接有抽气匀气装置(8),抽气匀气装置(8)的下方设置有真空系统接口(11)和压力监测系统接口(13)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的