[实用新型]一种用于垂直流动式反应室的ALD装置

说明书

本实用新型公开了一种用于垂直流动式反应室的ALD装置，包括反应室、前驱体源输送系统、真空系统、臭氧发生器、控制系统、反应室外壁、前驱体源入口、抽气匀气装置、样品进入口、匀气喷淋装置、真空系统接口和样品台，所述控制系统的内部设置有真空系统，控制系统的下方设置有臭氧发生器，本实用新型一种用于垂直流动式反应室的ALD装置，样品台同时具有加热功能，样品台尺寸不同规格，增加多样性，通过匀气喷淋装置匀气后吸附在样品表面，在垂直流动式反应室的底部增加抽气匀气装置，防止气流迅速的从中间抽走，可提高薄膜的均匀性，对于非理想的ALD过程并不敏感，且反应室比较横向流动式要大，可以生长一些尺度大的三维样品。

技术领域

本实用新型涉及反应室技术领域，具体为一种用于垂直流动式反应室的ALD装置。

背景技术

子层沉积技术是序列前驱体脉冲交替进入反应室发生自限制的表面化学吸附反应。前驱体的运输、在反应腔中的扩散以及反应腔温场的均匀性对镀膜的质量影响很大。常见的ALD反应室气流方式有：横向流动式、垂直流动式。其中横向流动式反应室结构紧凑，腔室的高度很低，一般是毫米级别。它的优点是腔室比较小，提高前驱体源的使用效率，反应时间短，清洗残留前驱体的时间短。缺点是对非理想的ALD过程教为敏感，会导致薄膜的不均匀性，另外对于一些尺度大三维样品并不合适。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于垂直流动式反应室的ALD装置，使用方便，样品台同时具有加热功能，样品台尺寸不同规格，增加多样性，通过匀气喷淋装置匀气后吸附在样品表面，在垂直流动式反应室的底部增加抽气匀气装置，防止气流迅速的从中间抽走，可提高薄膜的均匀性，对于非理想的ALD过程并不敏感，且反应室比较横向流动式要大，可以生长一些尺度大的三维样品，解决了现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于垂直流动式反应室的ALD装置，包括反应室、前驱体源输送系统、真空系统、臭氧发生器、控制系统、反应室外壁、前驱体源入口、抽气匀气装置、样品进入口、匀气喷淋装置、真空系统接口、样品台和压力监测系统接口，所述控制系统的内部设置有真空系统，控制系统的下方设置有臭氧发生器，控制系统的上方安装有反应室和前驱体源输送系统，前驱体源输送系统上安装有反应室外壁，所述反应室的内部设置有反应室外壁，反应室外壁内部设置有样品台，反应室外壁的上方连接有匀气喷淋装置，匀气喷淋装置的上方连接有前驱体源入口，所述反应室外壁的外侧安装有样品进入口，反应室外壁的下方连接有抽气匀气装置，抽气匀气装置的下方设置有真空系统接口和压力监测系统接口。

优选的，所述前驱体源入口与驱体源输送系统连接。

优选的，所述真空系统接口与真空系统连接。

优选的，所述压力监测系统接口的一端接入压力监测系统。

优选的，所述样品台的尺寸非同一种规格。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型一种用于垂直流动式反应室的ALD装置，反应室的内部设置有反应室外壁，反应室外壁内部设置有样品台，样品台的尺寸非同一种规格，样品台同时具有加热功能，样品台尺寸不同规格，2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、10英寸大小规格硅片，以及其他在250mm以内的任意形状的样品，增加多样性。