[实用新型]一种沟槽栅IGBT器件结构有效
| 申请号： | 201822059131.3 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN209104157U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 许高潮;薛璐;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种沟槽栅IGBT器件结构，IGBT器件单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有若干个栅沟槽，栅沟槽深度与左右邻接的第二导电类型体区的结深一致，在栅沟槽内填充有栅极多晶硅及位于栅极多晶硅外侧且紧贴栅沟槽侧壁的栅氧化层，在栅沟槽下方设有倒梯形厚氧槽，倒梯形厚氧槽深入到第一导电类型外延层内；本实用新型通过在栅沟槽底部设置倒梯形厚氧槽，能够增强发射区的电子注入量，进而降低导通压降Vceon，改善器件工作时的导通损耗，同时能降低栅漏电容Cgd，进而减小反馈电容Crss，降低器件的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 栅沟槽 第一导电类型 倒梯形 外延层 厚氧 本实用新型 栅极多晶硅 沟槽栅 衬底 半导体器件 导电类型 导通损耗 导通压降 电子注入 反馈电容 降低器件 开关损耗 栅漏电容 栅氧化层 发射区 邻接 侧壁 减小 结深 体区 填充 紧贴 制造 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅IGBT器件结构，其有源区包括若干个IGBT器件单元，所述IGBT器件单元包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），其特征在于，在第一导电类型外延层（2）内设有若干个栅沟槽（3），所述栅沟槽（3）的深度与左右邻接的第二导电类型体区（5）的结深一致，在栅沟槽（3）内填充有栅极多晶硅（6）及位于栅极多晶硅（6）外侧且紧贴栅沟槽（3）侧壁的栅氧化层（7），在所述栅沟槽（3）下方设有倒梯形厚氧槽（4），倒梯形厚氧槽（4）深入到第一导电类型外延层（2）内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡紫光微电子有限公司，未经无锡紫光微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822059131.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成增强型与耗尽型场效应管的结构
- 下一篇：功率器件和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
