[实用新型]一种沟槽栅IGBT器件结构有效
| 申请号： | 201822059131.3 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN209104157U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 许高潮;薛璐;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅沟槽 第一导电类型 倒梯形 外延层 厚氧 本实用新型 栅极多晶硅 沟槽栅 衬底 半导体器件 导电类型 导通损耗 导通压降 电子注入 反馈电容 降低器件 开关损耗 栅漏电容 栅氧化层 发射区 邻接 侧壁 减小 结深 体区 填充 紧贴 制造 | ||
1.一种沟槽栅IGBT器件结构，其有源区包括若干个IGBT器件单元，所述IGBT器件单元包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），其特征在于，在第一导电类型外延层（2）内设有若干个栅沟槽（3），所述栅沟槽（3）的深度与左右邻接的第二导电类型体区（5）的结深一致，在栅沟槽（3）内填充有栅极多晶硅（6）及位于栅极多晶硅（6）外侧且紧贴栅沟槽（3）侧壁的栅氧化层（7），在所述栅沟槽（3）下方设有倒梯形厚氧槽（4），倒梯形厚氧槽（4）深入到第一导电类型外延层（2）内。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽栅IGBT器件结构，其特征在于，在所述第二导电类型体区（5）内设有第一导电类型源区（8），且第一导电类型源区（8）与栅沟槽（3）邻接，在所述栅沟槽（3）上设有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）上设有源极金属（10），所述源极金属（10）穿过绝缘介质层（9）分别与第二导电类型体区（5）、第一导电类型源区（8）欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽栅IGBT器件结构，其特征在于，所述倒梯形厚氧槽（4）的侧壁与底部间的夹角小于80°，且倒梯形厚氧槽（4）的厚度为1.8um~2.2um。
4.根据权利要求1所述的一种沟槽栅IGBT器件结构，其特征在于，所述IGBT器件包括N型功率半导体器件和P型功率半导体器件，对于N型功率半导体器件，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，对于P型半导体器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
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