[实用新型]高电子迁移率晶体管器件有效
| 申请号： | 201822016567.4 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN209747519U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈彦良;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙半导体制造(香港)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 董科<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国香港新界荃湾*** | 国省代码： | 中国香港;HK |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管器件，由下而上依序包含硅基板、晶种层(nucleation layer)、缓冲层、第一氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层及覆盖层，其特征在于，阻障层为氮化铝铟(AlyIn1‑yN)，据此，利用具有高阻障能带的氮化铝铟(AlyIn1‑yN)取代现有技术中阻障能带低的氮化镓铝(AlGaN)，可以使二维电子气密度增加，使得二维电子气浓度上升，减少二维电子气通道所处接口的缺陷能量，以降低组件操作时的启动电阻(Ron)，进而达到节能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 二维电子气 氮化铝铟 氮化镓层 阻障层 高电子迁移率晶体管器件 氮化镓铝 密度增加 启动电阻 组件操作 覆盖层 硅基板 缓冲层 晶种层 节能 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管器件，由下而上依序包含硅基板、晶种层(nucleationlayer)、缓冲层、第一氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层及覆盖层，其特征在于，所述阻障层为氮化铝铟。/n
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