[实用新型]高电子迁移率晶体管器件有效
| 申请号： | 201822016567.4 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN209747519U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈彦良;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙半导体制造(香港)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 董科<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国香港新界荃湾*** | 国省代码： | 中国香港;HK |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维电子气 氮化铝铟 氮化镓层 阻障层 高电子迁移率晶体管器件 氮化镓铝 密度增加 启动电阻 组件操作 覆盖层 硅基板 缓冲层 晶种层 节能 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电子迁移率晶体管器件，由下而上依序包含硅基板、晶种层(nucleationlayer)、缓冲层、第一氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层及覆盖层，其特征在于，所述阻障层为氮化铝铟。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述晶种层为氮化铝(AlN)。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第一氮化镓层为C-氮化镓(C-GaN)。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第二氮化镓层为i-氮化镓(i-GaN)。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述覆盖层为氮化镓(GaN)。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述缓冲层可以是单层缓冲层、多层缓冲层或是超晶格结构。
7.如权利要求1或6所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述缓冲层可以是氮化镓铝(AlGaN)。
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