[实用新型]半导体组件

摘要

本实用新型公开一种半导体组件，包括基板；形成在基板上的多晶硅层，多晶硅层包括源极、通道及漏极，其中源极及漏极形成在多晶硅层的二侧，形成在源极及漏极之间的通道；形成在多晶硅层上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的栅极，且栅极形成在通道的正上方；形成在栅极上方且覆盖栅极的内层介电层，内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层；穿过氢化的内层介电层的上表面的金属导线，且分别与源极及漏极接触；以及覆盖氢化的内层介电层的钝化层。

主权项

1.一种半导体组件，其特征在于，包括：基板；多晶硅层，其中所述多晶硅层形成在所述基板上，所述多晶硅层包括源极、通道及漏极，所述源极及所述漏极形成在所述多晶硅层的二侧，所述通道形成在所述源极及所述漏极之间；栅极绝缘层，其中所述栅极绝缘层形成在所述多晶硅层上；栅极，其中所述栅极形成在所述栅极绝缘层上，且所述栅极形成在所述通道的正上方；内层介电层，其中所述内层介电层形成在所述栅极上方且覆盖所述栅极，所述内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层；金属导线，其中所述金属导线穿过所述氢化的内层介电层的上表面，且分别与所述源极及所述漏极接触；以及钝化层，其中所述钝化层覆盖所述氢化的内层介电层。