[实用新型]半导体组件

说明书

本实用新型公开一种半导体组件，包括基板；形成在基板上的多晶硅层，多晶硅层包括源极、通道及漏极，其中源极及漏极形成在多晶硅层的二侧，形成在源极及漏极之间的通道；形成在多晶硅层上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的栅极，且栅极形成在通道的正上方；形成在栅极上方且覆盖栅极的内层介电层，内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层；穿过氢化的内层介电层的上表面的金属导线，且分别与源极及漏极接触；以及覆盖氢化的内层介电层的钝化层。

技术领域

本实用新型是有关于一种半导体组件及其制造方法，特别是有关于一种在低温多晶硅制程中形成的半导体组件。

背景技术

在低温多晶硅薄膜晶体管的半导体组件的制程中，非晶硅层形成后必须进行高温处理来去除氢原子，以避免后续制程中因为氢键断裂而形成很多缺陷。由于这些缺陷大部粉起因于硅的断键，因此利用氢来填补这些断键，也就是所谓的氢化作用。然而在习知技术中，内层介电层中的氢含量无法达到均一性，且高温快速回火(rapid thermal anneal)的温度均一性较差，且内层介电层氢化的温度与高温快速回火使离子活化的温度不相同，因此会造成氢化不足或氢化过度的情况发生。故，有必要提供一种改善方法以解决现有技术所存在的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种半导体组件，其可以改善晶体管在低温多晶硅的制程中氢化不足或氢化不均的缺陷。

本实用新型的一实施例提供一种以低温多晶硅制程形成的薄膜晶体管的半导体组件。半导体组件包括基板；形成在基板上的多晶硅层，多晶硅层包括源极、通道及漏极，其中源极及漏极形成在多晶硅层的二侧，形成在源极及漏极之间的通道；形成在多晶硅层上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的栅极，且栅极形成在通道的正上方；形成在栅极上方且覆盖栅极的内层介电层，内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层；穿过氢化的内层介电层的上表面的金属导线，且分别与源极及漏极接触；以及覆盖氢化的内层介电层的钝化层。

在本实用新型的一实施例中，半导体组件还包括画素电极。

在本实用新型的一实施例中，半导体组件还包括形成在基板与多晶硅层之间的遮光层。

在本实用新型的一实施例中，多晶硅层包括氧化硅及氮化硅。

在本实用新型的一实施例中，离子布植植入氢原子还能进一步植入氢原子到通道内。

附图说明

图1是本实用新型实施例的半导体组件的制造流程图；以及

图2是本实用新型实施例具有低温多晶硅薄膜晶体管的半导体组件的示意图。

具体实施方式

为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文作详细说明。

本实用新型的一实施例提供一种以低温多晶硅(LTPS)制程形成的薄膜晶体管的半导体组件。半导体组件包括基板、形成在基板上的多晶硅层、形成在多晶硅层二侧的源极及汲极、形成在源极及漏极之间的通道、形成在多晶硅层上的栅极绝缘层、形成在栅极绝缘层上的栅极、形成在栅极上方且覆盖栅极的内层介电层、穿过氢化的内层介电层的上表面的金属导线以及覆盖氢化的内层介电层的钝化层。具体而言，栅极形成在通道的正上方、内层介电层通过离子布植植入氢原子且经高温快速回火形成氢化的内层介电层，以及穿过氢化的内层介电层的上表面的金属导线分别与源极及漏极接触。在本实用新型的另外一实施例中，半导体组件还包括画素电极。

为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文配合所附图式作详细说明。