[实用新型]一种微波多芯片组件的封装结构有效
申请号: | 201821995314.X | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN208923115U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 耿菲 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/60 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种微波多芯片组件的封装结构,包括:第一TSV硅基板;第二TSV硅基板,所述第二TSV硅基板设置在所述第一TSV硅基板上方,且具有芯片埋置空腔;埋置芯片,所述埋置芯片设置在所述第二TSV硅基板的所述芯片埋置空腔中;TSV硅盖板,所述TSV盖板设置在所述第二TSV硅基板上方,且与所述第一TSV硅基板、所述第二TSV硅基板一起形成对所述埋置芯片的气密封装;表面器件,所述表面器件电连接至在所述TSV盖板的表面焊盘;以及外接焊球,所述外接焊球电连接至所述第一TSV硅基板的外接焊盘。 | ||
搜索关键词: | 硅基板 埋置 芯片 多芯片组件 表面器件 封装结构 电连接 盖板 焊球 空腔 外接 微波 本实用新型 表面焊盘 气密封装 外接焊盘 硅盖板 | ||
【主权项】:
1.一种微波多芯片组件的封装结构,其特征在于,包括:第一TSV硅基板;第二TSV硅基板,所述第二TSV硅基板设置在所述第一TSV硅基板上方,且具有芯片埋置空腔;埋置芯片,所述埋置芯片设置在所述第二TSV硅基板的所述芯片埋置空腔中;TSV硅盖板,所述TSV盖板设置在所述第二TSV硅基板上方,且与所述第一TSV硅基板、所述第二TSV硅基板一起形成对所述埋置芯片的气密封装;表面器件,所述表面器件电连接至在所述TSV盖板的表面焊盘;以及外接焊球,所述外接焊球电连接至所述第一TSV硅基板的外接焊盘。
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