[实用新型]一种微波多芯片组件的封装结构

权利要求书

1.一种微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，包括：

第一TSV硅基板；

第二TSV硅基板，所述第二TSV硅基板设置在所述第一TSV硅基板上方，且具有芯片埋置空腔；

埋置芯片，所述埋置芯片设置在所述第二TSV硅基板的所述芯片埋置空腔中；

TSV硅盖板，所述TSV盖板设置在所述第二TSV硅基板上方，且与所述第一TSV硅基板、所述第二TSV硅基板一起形成对所述埋置芯片的气密封装；

表面器件，所述表面器件电连接至在所述TSV盖板的表面焊盘；以及

外接焊球，所述外接焊球电连接至所述第一TSV硅基板的外接焊盘。

2.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，还包括设置在所述盖板的表面焊盘上的天线。

3.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，所述第一TSV硅基板进一步包括：

第一基板；

设置在所述第一基板底面的第一底部金属层；

设置在所述第一基板顶面的第一顶部金属层；以及

电连接至所述第一底部金属层和所述第一顶部金属层的第一TSV导电通孔。

4.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，所述第一底部金属层和/或所述第一顶部金属层包括至少一层重新布局布线层；所述第一底部金属层包括外接焊盘；所述第一顶部金属层包括焊接结构。

5.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，所述第二TSV硅基板进一步包括：

第二基板；

设置在所述第二基板底面的第二底部金属层；

设置在所述第二基板顶面的第二顶部金属层；

电连接至所述第二底部金属层和所述第二顶部金属层的第二TSV导电通孔；以及

设置在所述第二基板内且贯穿所述第二基板的芯片埋置空腔。

6.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，所述TSV硅盖板进一步包括：

第三基板；

设置在所述第三基板底面的第三底部金属层；

设置在所述第三基板顶面的第三顶部金属层；

电连接至所述第三底部金属层和所述第三顶部金属层的第三TSV导电通孔；

设置在所述第三顶部金属层顶面的表面介质层；以及

表面焊盘。

7.如权利要求1或5所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，还包括电连接所述埋置芯片的芯片焊盘和所述第二顶部金属层的重新布局布线。

8.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，所述表面器件为芯片和/或有源器件和/或无源器件。

9.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第一TSV硅基板和所述第二TSV硅基板之间的第一密封结构。

10.如权利要求1所述的微波多芯片组件的封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第二TSV硅基板和所述TSV硅盖板之间的第二密封结构。