[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201821955535.4 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN209199942U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，基底相对于顶端，至少一个侧壁连接顶端与基底，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，其中源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁。本实用新型通过分别延伸门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分至相邻顶端的侧壁，能够减少所制备的半导体装置本身的体积，进而增加制备半导体装置的晶圆的使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 漏极金属 源极金属 基底 金属垫 侧壁 门极 制备半导体装置 本实用新型 侧壁连接 使用效率 延伸 晶圆 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，其特征在于:所述半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，所述基底相对于所述顶端，所述至少一个侧壁连接所述顶端与所述基底，所述门极金属垫、所述源极金属垫与所述漏极金属垫分别形成于相对所述基底另一侧的所述顶端的平面上，其中所述源极金属垫与所述漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻所述顶端的所述侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷苙科技股份有限公司，未经捷苙科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821955535.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高电子迁移率晶体管
- 下一篇：氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 同类专利
- 专利分类
