[实用新型]半导体装置

说明书

一种半导体装置，包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，基底相对于顶端，至少一个侧壁连接顶端与基底，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，其中源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁。本实用新型通过分别延伸门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分至相邻顶端的侧壁，能够减少所制备的半导体装置本身的体积，进而增加制备半导体装置的晶圆的使用效率。

技术领域

本实用新型关于一种半导体装置，特别是关于一种具备门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的半导体装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，硅基半导体的技术已非常成熟。然而随着组件尺寸的不断缩小，许多半导体装置也面临到一些来自材料本身所造成的瓶颈。

现有的半导体装置中，以功率半导体这种分离式半导体装置为例，一个功率半导体上例如是包括器件区域与金属垫区域，其中器件区域中的各器件採用碳化硅或氮化硅为主要成分组成时具有较佳的功效，因此受到近期宽能隙半导体装置的相关技术人员注目。虽然採用碳化硅或氮化硅作为宽能隙半导体装置中各器件的主要成分能够使得半导体装置的器件尺寸远小于硅材料为原料制备的半导体装置器件，然而金属垫区域却没有适合材料对应缩小尺寸，因此半导体装置的体积仍无法有效缩小，制备半导体装置时一片晶圆上可制备的半导体装置数量仍无法有效增加。

因此，有必要提供一种半导体装置，可缩小装置本身的体积以增加实施制造工艺时晶圆的使用效率。

实用新型内容

根据现有技术的缺点，本实用新型主要目的在于提供一种具备门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫的半导体装置，以减少所制备的半导体装置本身的体积。

为达上述一部份或全部目的或是其他目的，本实用新型的一实施例提供一种半导体装置包括门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫，半导体装置还包括基底、顶端与至少一个侧壁，基底相对于顶端，至少一个侧壁连接顶端与基底，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，其中源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁。

在一实施例中，侧壁上的源极金属垫与漏极金属垫分别延伸至与基底接触。

在一实施例中，基底还包括由下而上依序堆栈的硅衬底层、氮化铝镓缓冲层与氮化镓主动层，其中源极金属垫与漏极金属垫电性连接于氮化镓主动层。

在一实施例中，门极金属垫电性连接于半导体装置的T型门极。

在一实施例中，半导体装置为功率半导体。

基于上述，本实用新型的实施例至少具有以下其中一个优点或功效。在本实用新型的实施例中，门极金属垫、源极金属垫与漏极金属垫分别形成于相对基底另一侧的顶端的平面上，源极金属垫与漏极金属垫的至少一部分分别延伸至相邻顶端的侧壁，如此一来可减少所制备的半导体装置本身的体积，进而增加制备半导体装置的晶圆的使用效率。

附图说明

图1是根据本实用新型所揭露的一实施例，表示半导体装置的立体示意图；

图2是根据图1的实施例，表示半导体装置的基底的局部剖面示意图；以及

图3是根据图1的实施例，表示半导体装置的剖面示意图。

具体实施方式