[实用新型]一种高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201821942615.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN209199941U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管，由下而上依序包括基板、缓冲层、主动层、保护层、源极、漏极以及门极，主动层、缓冲层与保护层依序堆栈于基板，源极、漏极以及门极依序排列于主动层上，保护层覆盖部分的源极、漏极与门极，其中门极包含相互邻接的顶部与底部，顶部凸出于保护层，且门极还包括掩膜层，掩膜层位于保护层上且顶部覆盖掩膜层。本实用新型通过在门极设置掩膜层，在维持门极的顶部作为场板的功用下能够降低寄生电容区域的电容值，进而提升高电子迁移率晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 门极 保护层 掩膜层 高电子迁移率晶体管 主动层 漏极 源极 缓冲层 基板 本实用新型 寄生电容 依序排列 电容 邻接 场板 堆栈 与门 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，由下而上依序包括基板、缓冲层、主动层、保护层、源极、漏极以及门极，所述主动层、所述缓冲层与所述保护层依序堆栈于所述基板，所述源极、所述漏极以及所述门极依序排列于所述主动层上，所述保护层覆盖部分的所述源极、所述漏极与所述门极，其特征在于：所述门极包含相互邻接的顶部与底部，所述顶部凸出于所述保护层，且所述门极还包括掩膜层，所述掩膜层位于所述保护层上且所述顶部覆盖所述掩膜层。
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