[实用新型]一种高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201821942615.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN209199941U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 门极 保护层 掩膜层 高电子迁移率晶体管 主动层 漏极 源极 缓冲层 基板 本实用新型 寄生电容 依序排列 电容 邻接 场板 堆栈 与门 覆盖 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，由下而上依序包括基板、缓冲层、主动层、保护层、源极、漏极以及门极，所述主动层、所述缓冲层与所述保护层依序堆栈于所述基板，所述源极、所述漏极以及所述门极依序排列于所述主动层上，所述保护层覆盖部分的所述源极、所述漏极与所述门极，其特征在于：所述门极包含相互邻接的顶部与底部，所述顶部凸出于所述保护层，且所述门极还包括掩膜层，所述掩膜层位于所述保护层上且所述顶部覆盖所述掩膜层。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述掩膜层于所述源极往所述漏极的方向上的长度小于所述顶部于所述源极往所述漏极的方向上的长度。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述底部于所述源极往所述漏极的方向上的长度小于所述顶部于所述源极往所述漏极的方向上的长度。
4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述保护层还包括沉积面，所述掩膜层位于所述沉积面上，且所述底部与所述顶部的连接面与所述沉积面为共平面。
5.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述顶部邻近所述源极的一侧与所述主动层之间形成第一寄生电容，所述顶部邻近所述漏极的一侧与所述主动层之间形成第二寄生电容，且所述第一寄生电容的电容值高于所述第二寄生电容的电容值。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述底部的两端分别邻接所述顶部与所述主动层。
7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极、所述门极与所述漏极排列于所述主动层的同一平面。
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