[实用新型]半导体器件及重布线层结构有效
| 申请号： | 201821885774.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN209119090U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;许文豪 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件及重布线层结构，涉及半导体技术领域。该重布线层结构包括基底、第一导电层、加强层和第二导电层。第一导电层设于基底，且具有第一焊垫区；加强层设于第一导电层远离基底的表面，且位于第一焊垫区；第二导电层覆盖加强层和第一导电层未被加强层覆盖的区域；加强层为导电材质，且加强层的材料的强度大于第一导电层和第二导电层。本公开的重布线层结构可提升半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 加强层 第一导电层 重布线层 半导体器件 第二导电层 基底 焊垫区 半导体技术领域 导电材质 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：基底；第一导电层，设于所述基底，且具有第一焊垫区；加强层，设于所述第一导电层远离所述基底的表面，且位于所述第一焊垫区；第二导电层，覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。
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