[实用新型]半导体器件及重布线层结构有效
| 申请号： | 201821885774.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN209119090U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;许文豪 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加强层 第一导电层 重布线层 半导体器件 第二导电层 基底 焊垫区 半导体技术领域 导电材质 覆盖 | ||
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：
基底；
第一导电层，设于所述基底，且具有第一焊垫区；
加强层，设于所述第一导电层远离所述基底的表面，且位于所述第一焊垫区；
第二导电层，覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；
所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层具有至少一个第一通孔，所述第二导电层填充所述第一通孔并与所述第一导电层连接。
3.根据权利要求2所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一通孔的数量为多个，且多个所述第一通孔沿环形轨迹间隔分布。
4.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层的材料包括金属和金属氮化物中至少一种。
5.根据权利要求4所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层的材料包括钨、钛、钽、氮化钛和氮化钽中至少一种。
6.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一导电层、所述加强层和所述第二导电层在所述基底上的正投影的边缘位于所述基底的边缘的内侧。
7.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第二导电层具有第二焊垫区和第二凹陷部，所述第二焊垫区与所述加强层正对设置，所述第二凹陷部位于所述第二焊垫区以外，并向所述第一导电层凹陷。
8.根据权利要求7所述的重布线层结构，其特征在于，所述第二凹陷部的深度为0.05μm-0.5μm。
9.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述重布线层结构还包括：
钝化层，覆盖所述第二导电层，且具有第二通孔，所述第二通孔露出所述第二导电层正对于所述加强层的区域。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的重布线层结构。
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