[实用新型]一种双箝位子单元的拓扑结构有效

专利信息
申请号: 201821798593.0 申请日: 2018-11-02
公开(公告)号: CN209313731U 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 邓占锋;周哲;赵国亮;徐云飞;徐少博;李卫国;刘海军;卜宪德;乔光尧;康伟;石秋雨;卢娟娟;李芳义 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H02M7/487;H02M1/32
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供了一种双箝位子单元的拓扑结构,包括:第一半桥子模块、第二半桥子模块、二极管D1、二极管D2、第一引导开关管、第二引导开关管、旁路开关T1和旁路开关T2;二极管D1的阳极、第一引导开关管的集电极、第二引导开关管的集电极均与第二半桥子模块中电容C2的正极连接,二极管D1的阴极与第一半桥子模块中电容C1的正极连接,二极管D2的阴极、第一引导开关管的发射极、第二引导开关管的发射极均与第一半桥子模块中电容C1的负极连接,二极管D2的阳极与第二半桥子模块中电容C2的负极连接,旁路开关T1与第一半桥子模块中第二开关管并联,旁路开关T2与旁路开关T1、第二半桥子模块中第三开关管的发射极连接。
搜索关键词: 开关管 子模块 半桥 二极管 旁路开关 电容 阴极 阳极 负极连接 拓扑结构 位子单元 正极连接 发射极 集电极 本实用新型 发射极连接 并联
【主权项】:
1.一种双箝位子单元的拓扑结构,其特征在于,所述拓扑结构包括:第一半桥子模块、第二半桥子模块、二极管D1、二极管D2、第一引导开关管、第二引导开关管、旁路开关T1和旁路开关T2;所述二极管D1的阳极、所述第一引导开关管的集电极、所述第二引导开关管的集电极均与所述第二半桥子模块中电容C2的正极连接,所述二极管D1的阴极与所述第一半桥子模块中电容C1的正极连接,所述二极管D2的阴极、所述第一引导开关管的发射极、所述第二引导开关管的发射极均与所述第一半桥子模块中电容C1的负极连接,所述二极管D2的阳极与所述第二半桥子模块中电容C2的负极连接,所述旁路开关T1与第一半桥子模块中第二开关管并联,所述旁路开关T2与所述旁路开关T1、所述第二半桥子模块中第三开关管的发射极连接。
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