[实用新型]一种双箝位子单元的拓扑结构有效
| 申请号： | 201821798593.0 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209313731U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 邓占锋;周哲;赵国亮;徐云飞;徐少博;李卫国;刘海军;卜宪德;乔光尧;康伟;石秋雨;卢娟娟;李芳义 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/487;H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开关管 子模块 半桥 二极管 旁路开关 电容 阴极 阳极 负极连接 拓扑结构 位子单元 正极连接 发射极 集电极 本实用新型 发射极连接 并联 | ||
1.一种双箝位子单元的拓扑结构，其特征在于，所述拓扑结构包括：
第一半桥子模块、第二半桥子模块、二极管D1、二极管D2、第一引导开关管、第二引导开关管、旁路开关T1和旁路开关T2；
所述二极管D1的阳极、所述第一引导开关管的集电极、所述第二引导开关管的集电极均与所述第二半桥子模块中电容C2的正极连接，所述二极管D1的阴极与所述第一半桥子模块中电容C1的正极连接，所述二极管D2的阴极、所述第一引导开关管的发射极、所述第二引导开关管的发射极均与所述第一半桥子模块中电容C1的负极连接，所述二极管D2的阳极与所述第二半桥子模块中电容C2的负极连接，所述旁路开关T1与第一半桥子模块中第二开关管并联，所述旁路开关T2与所述旁路开关T1、所述第二半桥子模块中第三开关管的发射极连接。
2.如权利要求1所述的拓扑结构，其特征在于，所述第一半桥子模块还包括：
第一开关管和第二开关管；
所述第一开关管包括IGBT1和与所述IGBT1反并联的二极管D11；
所述第二开关管包括IGBT2和与所述IGBT2反并联的二极管D22；
所述IGBT1的集电极与电容C1的正极连接，所述IGBT1的发射极与公共点A连接；
所述IGBT2的集电极与公共点A连接，所述IGBT2的发射极与电容C1的负极连接。
3.如权利要求1所述的拓扑结构，其特征在于，所述第二半桥子模块还包括：
第三开关管和第四开关管；
所述第三开关管包括IGBT3和与所述IGBT3反并联的二极管D33；
所述第四开关管包括IGBT4和与所述IGBT4反并联的二极管D44；
所述IGBT3的集电极与电容C2的正极连接，所述IGBT3的发射极与公共点B连接；
所述IGBT4的集电极与公共点B连接，所述IGBT4的发射极与电容C2的负极连接。
4.如权利要求1所述的拓扑结构，其特征在于，所述第一引导开关管包括IGBT5和与所述IGBT5反并联的二极管D55。
5.如权利要求1所述的拓扑结构，其特征在于，所述第二引导开关管包括IGBT6和与所述IGBT6反并联的二极管D66。
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