[实用新型]一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜有效
| 申请号： | 201821616409.6 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN209766477U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 贾明泽;颜才满;李宗涛;丁鑫锐;汤勇;余彬海 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜，由下至上依次包括ITO导电玻璃（33）、空穴传输层（32）、量子点层、电子传输层（42）、导电金属（41）；所述量子点层为表面阵列微结构（31）。本实用新型的采用压印成型和蒸镀金属等表面处理，实现了导电薄膜的制备，采用表面磨削，实现了薄膜的透光性能；本实用新型的导电可透光钙钛矿量子点薄膜结构可透光导电，该结构使得制备方法效率高、精度准确，制造成本低，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 可透光 导电 量子点层 钙钛矿 量子点 制备 薄膜 电子传输层 空穴传输层 薄膜结构 表面磨削 表面阵列 导电薄膜 导电金属 透光性能 压印成型 制造成本 微结构 蒸镀 金属 | ||
【主权项】：
1.一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜，其特征在于，由下至上依次由ITO导电玻璃（33）、空穴传输层（32）、量子点层、电子传输层（42）和导电金属（41）构成；所述量子点层为表面阵列微结构（31）；所述表面阵列微结构为圆锥结构；所述圆锥结构的底面直径为0.2～5um，高度为0.1～2um，相邻圆锥结构中心轴之间的距离为0.5～8um。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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