[实用新型]一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜有效
| 申请号: | 201821616409.6 | 申请日: | 2018-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN209766477U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
| 发明(设计)人: | 贾明泽;颜才满;李宗涛;丁鑫锐;汤勇;余彬海 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
| 地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 本实用新型 可透光 导电 量子点层 钙钛矿 量子点 制备 薄膜 电子传输层 空穴传输层 薄膜结构 表面磨削 表面阵列 导电薄膜 导电金属 透光性能 压印成型 制造成本 微结构 蒸镀 金属 | ||
本实用新型公开了一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜,由下至上依次包括ITO导电玻璃(33)、空穴传输层(32)、量子点层、电子传输层(42)、导电金属(41);所述量子点层为表面阵列微结构(31)。本实用新型的采用压印成型和蒸镀金属等表面处理,实现了导电薄膜的制备,采用表面磨削,实现了薄膜的透光性能;本实用新型的导电可透光钙钛矿量子点薄膜结构可透光导电,该结构使得制备方法效率高、精度准确,制造成本低,适合大规模生产。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,人们对显示质量的追求越来越高。量子点(QuantumDots)相比于传统LED,作为一种新型荧光材料,具有发射光谱窄、激发光谱宽、量子产率高、发射波长可调等优点,在照明、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
全无机钙钛矿量子点(CsPbX3,X=Cl,Br,I),具有合成方法简单、节能高效、色域覆盖广、色彩对比度高、显示质量好等优点,但是钙钛矿量子点由于易受到空气中水氧分子的影响,使其分子结构破坏,导致性能不稳定,使用寿命下降。量子点显示技术的又一难点在于,难以形成高精度量子点阵列,目前,主要的量子点阵列制备方法为电诱导法、印刷法、激光加工法,这些制造方法都存在很多缺陷。电诱导法、印刷法精度较高但成本较高,激光加工法效率高但精度较差。难以实现高质量、大批量的量子点阵列生产。
此外,现有的量子点薄膜大多数都是作为光致发光膜,需要背光光源,且光源的能量大部分因产生热量而散失,造成能源浪费;而电致发光通过直接在量子点薄膜上通电致使其发光,这就需要量子点薄膜具有导电性,而现阶段主要使量子点薄膜导电的方法是在薄膜中加入导电粒子,由于导电粒子分布不均匀,导致这种方法制备的导电量子点薄膜光的均匀性较差。
实用新型内容
有鉴于此,为解决上述现有技术中的问题,本实用新型提供了一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜,其结构简单,透光和导电性好,该结构可以采用压印成型和蒸镀金属等表面处理,实现了导电薄膜的制备,采用表面磨削,实现了薄膜的透光性能;本实用新型的薄膜可透光导电,制备效率高、精度准确,制造成本低,适合大规模生产。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下。
一种导电可透光钙钛矿量子点薄膜,其由下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴传输层、量子点层、电子传输层和导电金属。
进一步地,所述量子点层为表面阵列微结构。
进一步地,所述表面阵列微结构为圆锥结构.
进一步地,所述圆锥结构的底面直径为0.2~5um,高度为0.1~2um,相邻圆锥结构中心轴之间的距离为0.5~8um。
进一步地,所述空穴传输层的厚度为20~500nm。
进一步地,所述量子点层厚度为100~2000nm。
进一步地,所述电子传输层厚度为20~500nm。
进一步地,本实用新型的导电可透光钙钛矿量子点薄膜优选如下制备方法制得,包括以下步骤:
步骤1、带有表面阵列微结构母模板的制备:利用光刻工艺和等离子体刻蚀工艺在单晶硅表面加工出微结构,作为表面压印的母模板;
步骤2、空穴传输层的制备及涂覆:采用PEDOT和PSS水溶液混合物用作空穴传输层,将PEDOT和PSS水溶液用针筒加过滤头过滤,再加入适量的异丙酮调节粘度,离心搅拌后将制备好的混合溶液涂覆在导电玻璃上,得到空穴传输层;
步骤3、量子点反应溶液的制备及涂覆:配制量子点材料前躯体溶液并加入高分子材料PMMA使其充分混合,搅拌均匀,真空脱泡后涂覆在空穴传输层上,得到量子点层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





