[实用新型]薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201821607669.7 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN208938977U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 聂曼;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 100176 北京市经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及薄膜太阳能电池,该薄膜太阳能电池包括基底、背电极层和阻挡层,阻挡层位于基底和背电极层之间,用于阻挡碱性元素自基底向背电极层迁移。本实用新型通过在基底与背电极层之间设置阻挡层,可有效阻挡薄膜太阳能电池中的碱性元素自基底向背电极层迁移,从而避免出现由基底中的碱性元素透过背电极层导致在背电极层上进行后续工艺过程中出现电势诱导衰减效应,有利于使薄膜太阳能电池达到规范标准。 | ||
搜索关键词: | 基底 背电极层 薄膜太阳能电池 碱性元素 阻挡层 本实用新型 电极层 迁移 太阳能电池 后续工艺 衰减效应 阻挡薄膜 电势 诱导 阻挡 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于,所述薄膜太阳能电池包括基底、背电极层和阻挡层,所述阻挡层位于所述基底和所述背电极层之间,用于阻挡碱性元素自所述基底向所述背电极层迁移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的