[实用新型]薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201821607669.7 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN208938977U | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 聂曼;杨立红 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 100176 北京市经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 背电极层 薄膜太阳能电池 碱性元素 阻挡层 本实用新型 电极层 迁移 太阳能电池 后续工艺 衰减效应 阻挡薄膜 电势 诱导 阻挡 | ||
1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，
所述薄膜太阳能电池包括基底、背电极层和阻挡层，
所述阻挡层位于所述基底和所述背电极层之间，用于阻挡碱性元素自所述基底向所述背电极层迁移。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层包括氮氧化硅层和/或氮化硅层。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于等于30nm且小于等于200nm。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层的折射率大于等于1.95且小于等于2.15。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，
所述基底为搪瓷钢基底，
所述搪瓷钢基底包括依次层叠设置的下搪瓷涂层、中间钢体层以及上搪瓷涂层，其中，所述中间钢体层包括铁素不锈钢层或低碳钢层。
6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，
在所述中间钢体层的边缘部位设置有抗腐蚀材料。
7.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括设置于所述下搪瓷涂层的下方的粘结层和设置于所述粘结层的下方的保护层。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括设置于所述背电极层上且依次层叠的下碱性元素层、吸收层、上碱性元素层以及导电窗口层。
9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述导电窗口层包括设置于所述吸收层的上方的本征氧化锌层以及设置于所述本征氧化锌的上方的铝掺杂氧化锌层。
10.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述吸收层与所述导电窗口层之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
