[实用新型]一种基于MOSFET的LED电源保护电路

摘要

本实用新型公开了一种基于MOSFET的LED电源保护电路，包括发光二极管LED1、LED2、LED3，MOSFET Q1，二极管D1、D2，三极管T1、T2，稳压二极管Z1、Z2、Z3，电容C1、C2，热敏电阻RT1以及电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8，本实用新型采用MOSFET控制，电路具有过压保护、过流保护、过温保护功能，在LED的环境温度过高、外部供电电压过压和电路电流过流下硬件自动切断电源，对LED进行保护不受损伤。

主权项

1.一种基于MOSFET的LED电源保护电路，包括发光二极管LED1、LED2、LED3，MOSFET Q1，二极管D1、D2，三极管T1、T2，稳压二极管Z1、Z2、Z3，电容C1、C2，热敏电阻RT1以及电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8，其特征在于：所述的LED1、LED2、LED3串联后一端接D1的负极，一端接Q1的漏极；D1的正极接VDD；D2正极接VDD，负极接Z1的负极；Z1的正极接R1之后接T2的基极；T2的集电极接Q1的栅极，发射机接地；R5和R7并联之后一端接地，另一端接Q1的源极；R6一端接Q1的源极，另一端接T1的基极；R8一端接VDD，另一端接Q1的栅极；C1一端接T1的基极，另一端接Q1的栅极；C2一端接Q1的栅极，另一端接地；Z3正极接地，负极接Q1的栅极；T1发射极接地，集电极接Q1的栅极；R3和R4串联之后一端接VDD，另一端接D3的正极；D3的负极接T1的基极；Z2正极接地，负极接R3和R4之间，RT1一端接D3正极，另一端接地。