[实用新型]一种基于MOSFET的LED电源保护电路有效
| 申请号： | 201821602903.7 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN209105481U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄佳佳;张力;窦海军;王德俊;郭建国 | 申请（专利权）人： | 杭州丰乐电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/08 | 分类号： | H05B33/08 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 奚丽萍 |
| 地址： | 311305 浙江省杭州市临安市青山湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路 本实用新型 外部供电电压 自动切断电源 发光二极管 稳压二极管 二极管 过流保护 过温保护 过压保护 热敏电阻 温度过高 电容 三极管 电阻 损伤 | ||
1.一种基于MOSFET的LED电源保护电路，包括发光二极管LED1、LED2、LED3，MOSFET Q1，二极管D1、D2，三极管T1、T2，稳压二极管Z1、Z2、Z3，电容C1、C2，热敏电阻RT1以及电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8，其特征在于：所述的LED1、LED2、LED3串联后一端接D1的负极，一端接Q1的漏极；D1的正极接VDD；D2正极接VDD，负极接Z1的负极；Z1的正极接R1之后接T2的基极；T2的集电极接Q1的栅极，发射机接地；R5和R7并联之后一端接地，另一端接Q1的源极；R6一端接Q1的源极，另一端接T1的基极；R8一端接VDD，另一端接Q1的栅极；C1一端接T1的基极，另一端接Q1的栅极；C2一端接Q1的栅极，另一端接地；Z3正极接地，负极接Q1的栅极；T1发射极接地，集电极接Q1的栅极；R3和R4串联之后一端接VDD，另一端接D3的正极；D3的负极接T1的基极；Z2正极接地，负极接R3和R4之间，RT1一端接D3正极，另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET的LED电源保护电路，其特征在于，所述的MOSFET Q1为N-MOSFET。
3.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET的LED电源保护电路，其特征在于，所述的三极管T1、T2为NPN型。
4.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET的LED电源保护电路，其特征在于，所述的VDD为电源正极。
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