[实用新型]电容器阵列结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821602789.8 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN208819874U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈文丽 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一电容器阵列结构及半导体器件，通过在器件区上形成有一周边包裹式的主体支撑层，获得平整的电容阵列边界，避免后续沉积填充材料时由于电容阵列边界处不平整而形成裂缝，进而避免裂缝造成的插塞与电容阵列边界间的短路问题，在增加阵列区域的稳定性的同时提高了电容器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容阵列 电容器阵列结构 半导体器件 裂缝 平整 本实用新型 电容器件 短路问题 填充材料 阵列区域 周边包裹 主体支撑 边界处 器件区 插塞 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种电容器阵列结构，其特征在于，包括：若干设置于基底器件区内的呈阵列分布的电容器，各所述电容器均包括：下电极、电容介质层及上电极；其中，所述下电极设置于所述基底上，且所述下电极具有多个筒状结构；所述电容介质层设置于所述下电极的内外表面；所述上电极设置于所述电容介质层的外表面；主体支撑层，所述主体支撑层包括横向支撑层和纵向支撑层；其中，所述横向支撑层设置于所述器件区上，且所述横向支撑层连接所述下电极筒状结构的外壁；所述纵向支撑层设置于所述横向支撑层的一端，且所述纵向支撑层连接所述横向支撑层和所述基底；所述纵向支撑层异于所述横向支撑层的一侧面上设置有下电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821602789.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件
- 下一篇：指纹封装模组、显示模组
