[实用新型]电容器阵列结构及半导体器件

权利要求书

1.一种电容器阵列结构，其特征在于，包括：

若干设置于基底器件区内的呈阵列分布的电容器，各所述电容器均包括：下电极、电容介质层及上电极；其中，所述下电极设置于所述基底上，且所述下电极具有多个筒状结构；所述电容介质层设置于所述下电极的内外表面；所述上电极设置于所述电容介质层的外表面；

主体支撑层，所述主体支撑层包括横向支撑层和纵向支撑层；其中，所述横向支撑层设置于所述器件区上，且所述横向支撑层连接所述下电极筒状结构的外壁；所述纵向支撑层设置于所述横向支撑层的一端，且所述纵向支撑层连接所述横向支撑层和所述基底；所述纵向支撑层异于所述横向支撑层的一侧面上设置有下电极。

2.如权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述横向支撑层与所述基底之间设置有至少一下部支撑层，所述下部支撑层连接所述下电极筒状结构的外壁，且所述下部支撑层一端连接所述纵向支撑层。

3.如权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述横向支撑层上设置有至少一上部支撑层，所述上部支撑层连接所述下电极筒状结构的外壁，且所述上部支撑层一端与所述纵向支撑层在垂直于所述基底方向上保持齐平。

4.如权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述横向支撑层与所述基底之间设置有至少一下部支撑层，且所述横向支撑层上设置有至少一上部支撑层。

5.如权利要求4所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述下部支撑层和所述上部支撑层连接所述下电极筒状结构的外壁，所述下部支撑层一端连接所述纵向支撑层，所述上部支撑层一端与所述纵向支撑层在垂直于所述基底方向上保持齐平。

6.如权利要求3或5所述的电容器阵列结构，其特征在于，设置在所述纵向支撑层异于所述横向支撑层的一侧面上的所述下电极延伸连接所述上部支撑层。

7.如权利要求1至5任一项所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述基底上还设置有一隔离层，所述隔离层设置于所述下电极筒状结构底部外围；所述电容器阵列结构还包括多个节点接触，位于所述基底内，所述下电极筒状结构的底部与所述节点接触相连接。

8.如权利要求7所述的电容器阵列结构，其特征在于，所述主体支撑层、所述上部支撑层、所述下部支撑层及所述隔离层的材质均包括氮化硅。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的电容器阵列结构。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件应用于动态随机存储器。