[实用新型]基于硅通孔堆叠的三维存储器结构

摘要

公开了一种基于硅通孔堆叠的三维存储器结构，包括：CMOS电路包括第一硅衬底以及位于第一硅衬底上的第一绝缘层，第一绝缘层中具有多个第一外部焊盘；存储单元阵列包括第二硅衬底以及位于第二硅衬底上的第二绝缘层，第二绝缘层中具有多个第二外部焊盘；CMOS电路还包括贯穿第一绝缘层和第一硅衬底的硅通孔，与第一外部焊盘电连接；第一硅衬底与第二绝缘层彼此接触，硅通孔与第二外部焊盘键合，从而实现CMOS电路和存储单元阵列之间的电连接。本实用新型实施例在CMOS电路上形成硅通孔，硅通孔的第一端与CMOS电路上的第一外部焊盘连接，第二端与存储单元阵列的第二外部焊盘键合以实现两者之间的电连接，以提高存储密度，减少布线密度。

主权项

1.一种基于硅通孔堆叠的三维存储器结构，其特征在于，包括：CMOS电路，包括第一硅衬底以及位于所述第一硅衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有多个第一外部焊盘；存储单元阵列，包括第二硅衬底以及位于所述第二硅衬底上的第二绝缘层，所述第二绝缘层中具有多个第二外部焊盘；其中，所述CMOS电路还包括贯穿第一绝缘层和第一硅衬底的硅通孔，所述硅通孔的第一端与所述第一外部焊盘电连接，第二端在所述第一硅衬底的底部暴露；所述CMOS电路的第一硅衬底与所述存储单元阵列的第二绝缘层彼此接触，所述硅通孔与所述第二外部焊盘耦合，从而实现所述CMOS电路和所述存储单元阵列之间的电连接。